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臺積電三星3nm研發遭遇挑戰 但外媒稱仍有足夠時間在2022年開始量產

2021-01-05 11:06:45 TechWeb 

【TechWeb】1月5日消息,據國外媒體報道,在此前的報道中,英文媒體援引產業鏈方面的消息報道稱,臺積電和三星的3nm工藝研發均遭遇關鍵瓶頸,研發進度也不得不推遲。

臺積電和三星的3nm工藝研發遭遇挑戰,是否會影響到最終的量產時間也備受關注,但外媒在報道中表示,目前仍有足夠的時間在2022年開始量產。

3nm是5nm之后芯片制程工藝上的一個完整的技術跨越,芯片的晶體管密度、速度和能耗,較5nm都將會有明顯的提升。

在3nm工藝上,臺積電和三星這兩大芯片代工商走的是不同的路線,臺積電仍將采用成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET),外媒稱三星將采用環繞柵極晶體管技術(GAA)。

臺積電CEO魏哲家,在此前的財報分析師電話會議上曾多地談到3nm工藝,他表示3nm工藝計劃2021年風險試產,他們的目標是在2022年下半年大規模量產。這也就意味著目前距離量產還有一年半的時間,他們也需要盡快攻克所遇到的關鍵瓶頸,以便在今年完成風險試產,進而在明年下半年大規模投產。

(責任編輯:冉笑宇 )
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